半导体新闻日报

SK海力士就iHBM量产对接供应链厂商，基底裸片集成散热元件

2026-10-22

来源：新浪财经

SK海力士已启动与海内外材料、零部件、设备等供应链厂商的磋商，为下一代高带宽内存技术iHBM的落地与量产做准备，双方讨论了实际产品导入方案及量产计划。iHBM为SK海力士今年5月对外公开的技术，核心方案是在HBM最底层的基底裸片上集成一体化散热元件，以降低HBM发热。合作厂商人士称，公司正在验证量产可行性，并已启动商业化布局。

🔗 阅读原文

三星、SK海力士升级在华工厂产线，推进逾200层NAND生产

2026-10-22

来源：腾讯网

三星电子及SK海力士正升级其位于中国的工厂，以生产更先进的记忆体晶片，应对竞争对手并满足庞大的AI需求。目前两家公司在中国安装光刻机等美国制造设备均须每年申请美国许可证。三星及SK海力士发声明确认，升级工作正在进行中，现时在华盛顿密切协商下进行。据报道，两家公司正推进其中国厂房生产逾200层NAND产品。

🔗 阅读原文

机构：上半年半导体设备材料国产替代迈入全链条协同阶段

2026-10-22

来源：中财网

机构研报数据显示，2026年上半年国内半导体设备与材料国产替代明显加速，从单点突破迈入全链条协同推进阶段；AI芯片、HBM、光模块等品类量价齐升，存储价格创历史高点，样本企业营收、净利润同比高增，毛利率显著抬升。研报认为，AI算力需求爆发叠加海外出口管制，正催化国产AI芯片与存储芯片放量，多条技术路线实现突破，性能差距持续收窄。

🔗 阅读原文

粤芯半导体：形成平台多样化等优势，重点强化硅光及光电融合工艺

2026-10-22

来源：证券之星

粤芯半导体在投资者关系平台答复提问时表示，公司目前已形成平台多样化、工艺精进化、产品差异化、布局前沿化等创新性优势。面向未来，公司将立足国家推动集成电路产业高质量发展与做精做细成熟制程的战略思路，在持续夯实高端模拟工艺优势基础上，进一步深化高端数模混合工艺布局，并重点强化硅光及光电融合工艺技术的研发与产业化能力。

🔗 阅读原文

晶合集成公开半导体结构及其制备方法专利

2026-10-22

来源：证券之星

晶合集成公开一项半导体结构及其制备方法专利，申请日期为2026年9月16日。专利摘要显示，该方法在衬底有源区上以不同注入角度进行多次离子注入，于同一有源区内形成第一方向上注入区域不同的多个微气泡区，其中至少部分微气泡区离子注入深度不同；随后对衬底进行热处理使微气泡区产生剥离裂纹，清扫后于有源区形成凹槽，并在该侧形成栅极结构。

🔗 阅读原文

海南航芯高科技产业园芯片封装测试车间运转

2026-10-22

来源：海南自由贸易港

海南自由贸易港发布的信息显示，位于海南的航芯高科技产业园芯片封装测试车间已投入运转。10月18日，车间内焊线机在芯片上焊线，工作人员对产品进行检验、检查晶圆与焊线机工作情况、为固晶机添加框架材料，并目检挑出不良品芯片，涉及脱粒完成的声麦芯片等产品的封装测试环节。

🔗 阅读原文

本简报由 AI 自动生成，仅供参考。